Контакты
119454, ЦФО, Пр-т Вернадского, 78
Телефон:
+7 499 215-65-65 доб. 5140

Автоматизированная установка для исследований магнитоэлектрических материалов

(разработка РТУ МИРЭА), 2016 год

Установка предназначена для исследований характеристик образцов однофазных и композитных магнитоэлектрических (МЭ) материалов. Установка позволяет проводить измерения частотных, полевых и амплитудных характеристик образцов при возбуждении переменным магнитным или переменным электрическим полем.

Принцип действия установки. Образец помещается в постоянное магнитное поле H между полюсами электромагнита, одновременно с помощью электромагнитной катушки прикладывается переменное магнитное поле h и регистрируется генерируемое образцом переменное электрическое напряжение U. Управление режимами работы установки, сбор и обработка данных проводятся в программе LabView.

Технические параметры установки

Постоянное магнитное поле:                         0 - 2 кЭ

Точность установки поля                                   0.1 Э

Переменное магнитное поле:

                        диапазон частот                1 Гц-1 МГц

                        амплитуда                                  0-10 Э

Амплитуда сигнала:                                  1 μВ - 10 В

Режимы сканирования:                  частота f, поле H,   

                                 амплитуда переменного поля h.

Размер образца                                 ~ 10 мм x 20 мм

  Размер файла данных:                               до 104 точек

Измерения при комнатной температуре.

Области применений установки:

- исследование характеристик прямого и обратного МЭ эффектов в однофазных образцах и композитных мультиферроидных материалах и структурах.

- исследование характеристик элементов МЭ датчиков магнитных полей, элементов магнитной памяти и автономных источников питания.