Аппаратно-программный комплекс исследования и построения моделей полупроводниковых приборов

- PathWave IC-CAP;

- Анализатор силовых устройств B1505A.

Технические характеристики:

PathWave IC-CAP(лейбл)

Всё программное обеспечение в составе АПК предустановлено и имеет бессрочные коммерческие лицензии.

Управление анализатором с помощью внешнего компьютера в режиме реального времени.

Режим характериографа.

Наличие совместимости с программным обеспечением для извлечения характеристик электронных устройств и составления электронных библиотек параметров (IC-CAP).

Наличие встроенных программ управления полуавтоматическими и полностью автоматическими зондовыми системами.

Возможность менять стандартные тесты без программирования.

Наличие возможности импорта и экспорта фалов программного обеспечения: Keysight EasyEXPERT format, XML-SS format, CSV format, txt format, собственный формат пользователя.

Анализатор силовых устройств B1505A

Характеристики модулей источников/измерителей:

Количество каналов источников-измерителей: 6.

Области измерений: 4 квадранта.

Наличие режима импульсных измерений.

Минимальная длительность импульса: 10 мкс.

Наличие модуля заземления с характеристиками:

Напряжение: 0 В ± 100 мкВ.

Поглощаемый ток в стандартной комплектации: 4,2 А.

Наличие коннекторов: триаксиальный и кельвиновский.

Максимальные выходные и измеряемые значения напряжения и тока: 3000 В и 20 А.

Разрешение при измерении напряжения модуля средней мощности: 0,5 мкВ.

Разрешение при измерении тока модуля средней мощности: 10 фА.

Разрешение при измерении напряжения модуля токов средних величин: 200 нВ.

Разрешение при измерении тока модуля токов средних величин: 10 пА.

Наличие блока измерения емкости с характеристиками:

Наличие автоматического выбора диапазонов.

Точность тестового сигнала: ±0,008%.

Амплитуда тестового сигнала: от 10 мВ до 250 мВ.

Частотный диапазон: от 1 кГц до 5 МГц.

Смещение постоянного тока: от 0 В до ±25 В.

Наличие 4-х байонетных коннекторов конфигурации розетка.

Область применения: 

Возможность характеризации новых конструкций полупроводниковых приборов для построения на их основе перспективных новых схем, создания PDK новых технологических процессов. Исследование предельно достижимых характеристик новых приборов для возможности оптимизации их конструкции и построения усилителей мощности с экстремально высокими параметрами.

Месторасположение: 

г. Москва, пр-т Вернадского, д. 78.